Справочник MOSFET. SFI9630

 

SFI9630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFI9630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFI9630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  fairchild semi
 sfi9630 sfw9630.pdf pdf_icon

SFI9630

SFW/I9630Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V2 Low RDS(ON) : 0.581 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

 8.1. Size:207K  samsung
 sfi9634.pdf pdf_icon

SFI9630

SFW/I9634Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -5.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Low RDS(ON) : 0.876 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maxim

 9.1. Size:259K  fairchild semi
 sfi9624 sfw9624.pdf pdf_icon

SFI9630

SFW/I9624Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Low RDS(ON) : 1.65 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 9.2. Size:263K  fairchild semi
 sfi9644 sfw9644.pdf pdf_icon

SFI9630

SFW/I9644Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Low RDS(ON) : 0.549 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFI2955 , SFI9510 , SFI9520 , SFI9530 , SFI9610 , SFI9614 , SFI9620 , SFI9624 , AO3400 , SFI9634 , SFI9640 , SFI9644 , SFI9Z14 , SFI9Z24 , SFI9Z34 , SFM9014 , SFM9110 .

History: BUK9Y22-30B | IPW50R350CP | STP5NB40 | MC6414 | BL7N70-U | STP3401 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.