Справочник MOSFET. DMN33D8LDW

 

DMN33D8LDW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMN33D8LDW
   Маркировка: N33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.55 nC
   Время нарастания (tr): 2.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 11 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для DMN33D8LDW

 

 

DMN33D8LDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  diodes
 dmn33d8ldw.pdf

DMN33D8LDW DMN33D8LDW

DMN33D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 250 mA ESD Protected Gate to 2kV 30V 5 @ VGS = 4.0V 200 mA Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 7 @ VGS = 2.5V 100 mA

 6.1. Size:284K  diodes
 dmn33d8lv.pdf

DMN33D8LDW DMN33D8LDW

DMN33D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 30V 350 mA ESD Protected Gate to 2kV 7 @ VGS = 2.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 6.2. Size:265K  diodes
 dmn33d8l.pdf

DMN33D8LDW DMN33D8LDW

DMN33D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 3.0 @ VGS = 10V 250mA Fast Switching Speed 30V 3.8 @ VGS = 5V 200mA Low Input/Output Leakage ESD Protected 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description an

 6.3. Size:247K  diodes
 dmn33d8lt.pdf

DMN33D8LDW DMN33D8LDW

DMN33D8LTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance5 @ VGS = 4V 200 mA Low Input Capacitance 30V 7 @ VGS = 2.5V 115 mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top