DMN62D0LFB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN62D0LFB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: X1-DFN1006-3

Аналог (замена) для DMN62D0LFB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN62D0LFB даташит

 ..1. Size:270K  diodes
 dmn62d0lfb.pdf pdf_icon

DMN62D0LFB

DMN62D0LFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 100mA Low Input/Output Leakage 60V ESD Protected 2.5 @ VGS = 2.5V 50mA Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qual

 5.1. Size:323K  diodes
 dmn62d0lfd.pdf pdf_icon

DMN62D0LFB

DMN62D0LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 310mA 60V Low Input/Output Leakage 2.5 @ VGS = 2.5V 295mA ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Haloge

 7.1. Size:456K  diodes
 dmn62d0u.pdf pdf_icon

DMN62D0LFB

DMN62D0U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2 @ VGS = 4.5V 380mA 60V Fast Switching Speed 340mA 2.5 @ VGS = 2.5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Desc

 7.2. Size:216K  diodes
 dmn62d0sfd.pdf pdf_icon

DMN62D0LFB

DMN62D0SFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed ESD Protected Gate to 2kV 2 @ VGS = 10V 540mA Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) 60V Green Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standard

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN6040SSS, DMN6040SVT, DMN6069SE, DMN6070SFCL, DMN6070SSD, DMN6075S, DMN6140L, DMN6140LQ, AO4468, DMN62D0LFD, DMN62D0SFD, DMN62D1LFD, DMN63D8LDW, DMN63D8LV, DMN65D8L, DMN65D8LDW, DMN65D8LFB