DMN62D0SFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMN62D0SFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: X1-DFN1212-3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DMN62D0SFD Datasheet (PDF)
dmn62d0sfd.pdf

DMN62D0SFDN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed ESD Protected Gate to 2kV 2 @ VGS = 10V 540mA Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) 60V Green Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standard
dmn62d0lfb.pdf

DMN62D0LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 100mA Low Input/Output Leakage 60V ESD Protected 2.5 @ VGS = 2.5V 50mA Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qual
dmn62d0lfd.pdf

DMN62D0LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 310mA 60V Low Input/Output Leakage 2.5 @ VGS = 2.5V 295mA ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Haloge
dmn62d0u.pdf

DMN62D0U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2 @ VGS = 4.5V 380mA 60V Fast Switching Speed 340mA 2.5 @ VGS = 2.5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Desc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115