DMN62D1LFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN62D1LFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: X1-DFN1212-3

Аналог (замена) для DMN62D1LFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN62D1LFD даташит

 ..1. Size:356K  diodes
 dmn62d1lfd.pdf pdf_icon

DMN62D1LFD

DMN62D1LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25 C 2 @ VGS = 4V 400mA Fast Switching Speed 60V 2.5 @ VGS = 2.5V 350mA Low Input/Output Leakage ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description and Applicat

 7.1. Size:259K  diodes
 dmn62d1sfb.pdf pdf_icon

DMN62D1LFD

DMN62D1SFB 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Max Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 V(BR)DSS RDS(on) Max @ TA = +25 C Low On-Resistance 1.4 @ VGS= 10V 0.41A Low Gate Threshold Voltage 60V Fast Switching Speed 1.6 @ VGS= 4.5V 0.38A Ultra-Small Surface Mount Package ESD P

 8.1. Size:270K  diodes
 dmn62d0lfb.pdf pdf_icon

DMN62D1LFD

DMN62D0LFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 100mA Low Input/Output Leakage 60V ESD Protected 2.5 @ VGS = 2.5V 50mA Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qual

 8.2. Size:323K  diodes
 dmn62d0lfd.pdf pdf_icon

DMN62D1LFD

DMN62D0LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 310mA 60V Low Input/Output Leakage 2.5 @ VGS = 2.5V 295mA ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN6070SFCL, DMN6070SSD, DMN6075S, DMN6140L, DMN6140LQ, DMN62D0LFB, DMN62D0LFD, DMN62D0SFD, IRF3205, DMN63D8LDW, DMN63D8LV, DMN65D8L, DMN65D8LDW, DMN65D8LFB, DMN65D8LW, DMN7022LFG, DMP1011UCB9