DMN65D8L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN65D8L
Маркировка: MM6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.37 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.31 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.87 nC
Время нарастания (tr): 2.8 ns
Выходная емкость (Cd): 3.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
DMN65D8L Datasheet (PDF)
dmn65d8l.pdf
DMN65D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not
dmn65d8lw.pdf
DMN65D8LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant
dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full
dmn65d8ldw.pdf
GreenDMN65D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-ResistanceTA = +25C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)
dmn65d8lfb.pdf
DMN65D8LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-Resistance TA = 25C Low Gate Threshold Voltage 3.0 @ VGS = 10V 400mA Low Input Capacitance 60V Fast Switching Speed 4.0 @ VGS = 5V 330mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1.2kV HBM L
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
