DMP21D5UFB4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMP21D5UFB4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.97 Ohm

Тип корпуса: X2-DFN1006-3

Аналог (замена) для DMP21D5UFB4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP21D5UFB4 даташит

 ..1. Size:244K  diodes
 dmp21d5ufb4.pdf pdf_icon

DMP21D5UFB4

DMP21D5UFB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 1.0 @ VGS = -4.5V -700mA Ultra-Small Surfaced Mount Package 1.5 @ VGS = -2.5V -600mA Ultra-low package profile, 0.4

 5.1. Size:185K  diodes
 dmp21d5ufd.pdf pdf_icon

DMP21D5UFB4

DMP21D5UFD P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) max Package Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25 C Low Input Capacitance 1.0 @ VGS = -4.5V -600mA Fast Switching Speed 1.5 @ VGS = -2.5V -500mA ESD Protected Gate -20V X1-DFN1212-3 2.0 @ VGS = -1.8V -400mA Tot

 8.1. Size:164K  diodes
 dmp21d0ut.pdf pdf_icon

DMP21D5UFB4

A Product Line of Diodes Incorporated DMP21D0UT 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Footprint of just 3mm2 less than half the size of SOT23 ID Max 0.8mm profile ideal for low profile applications V(BR)DSS RDS(on) Max @ TA = 25 C Low Gate Threshold Voltage (Note 4) Fast Switching Speed ESD Protected Gate

 8.2. Size:230K  diodes
 dmp21d0ufd.pdf pdf_icon

DMP21D5UFB4

A Product Line of Diodes Incorporated DMP21D0UFD 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25 C (Notes 4) ESD Protected Gate 3KV 495m @ VGS = -4.5V -1.14A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free. G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMP2070UCB6, DMP2100U, DMP2100UCB9, DMP213DUFA, DMP2160UFDBQ, DMP21D0UFD, DMP21D0UT, DMP21D2UFA, IRF1010E, DMP21D5UFD, DMP2200UDW, DMP2200UFCL, DMP2240UWQ, DMP22D4UFA, DMP22M2UPS, DMP2305UVT, DMP2540UCB9