DMT6010LFG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMT6010LFG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 746 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: POWERDI3333-8
Аналог (замена) для DMT6010LFG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMT6010LFG даташит
dmt6010lfg.pdf
DMT6010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized. ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25 C Excellent Qgd x RDS (ON) Product (FOM) Advanced Technology for DC-DC Converters 7.5m @ VGS = 10V 30A Small form factor thermally efficient package enables higher 60V density end
dmt6010sct.pdf
DMT6010SCT 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C and Robust End Application 60V 7.2m @ VGS = 10V 98A Low Input Capacitance Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2) Description Halogen and Antimony Fre
dmt6010sct.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMT6010SCT FEATURES Drain Current I = 98A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.2m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur
dmt6016lps-13.pdf
DMT6016LPS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package - Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C High Conversion Efficiency 15m @ VGS = 10V 32 A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 24 A 24m @ VGS = 4.5V Low Input Capacitance Fast Switching Speed
Другие MOSFET... DMS3014SSS , DMS3015SSS , DMS3016SSS , DMS3017SSD , DMS3019SSD , DMT3008LFDF , DMT5015LFDF , DMT6008LFG , 2SK3878 , DMT6016LFDF , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 , DN1509 , DN2450 , DN2470 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent






