DMT6016LFDF - описание и поиск аналогов

 

DMT6016LFDF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMT6016LFDF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.82 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

Аналог (замена) для DMT6016LFDF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT6016LFDF даташит

 ..1. Size:337K  diodes
 dmt6016lfdf.pdf pdf_icon

DMT6016LFDF

DMT6016LFDF 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C 0.6mm profile ideal for low profile applications 16m @ VGS = 10V 8.9A PCB footprint of 4mm2 60V 27m @ VGS = 4.5V 6.8A Low On-Resistance Totally Lead-Free & Ful

 6.1. Size:639K  1
 dmt6016lps-13.pdf pdf_icon

DMT6016LFDF

DMT6016LPS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package - Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C High Conversion Efficiency 15m @ VGS = 10V 32 A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 24 A 24m @ VGS = 4.5V Low Input Capacitance Fast Switching Speed

 6.2. Size:296K  diodes
 dmt6016lss.pdf pdf_icon

DMT6016LFDF

DMT6016LSS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C 18m @ VGS = 10V 9.2 A Fast Switching Speed 60V 7.5 A 28m @ VGS = 4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3

 6.3. Size:602K  diodes
 dmt6016lps.pdf pdf_icon

DMT6016LFDF

DMT6016LPS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package - Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C High Conversion Efficiency 15m @ VGS = 10V 32 A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 24 A 24m @ VGS = 4.5V Low Input Capacitance Fast Switching Speed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMS3015SSS , DMS3016SSS , DMS3017SSD , DMS3019SSD , DMT3008LFDF , DMT5015LFDF , DMT6008LFG , DMT6010LFG , STP75NF75 , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 , DN1509 , DN2450 , DN2470 , DN2530 .

History: IPP052N06L3 | 2SK3913-01MR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.