DMT6016LSS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMT6016LSS
Маркировка: T6016LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.4 nC
Время нарастания (tr): 5.2 ns
Выходная емкость (Cd): 282 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для DMT6016LSS
DMT6016LSS Datasheet (PDF)
dmt6016lss.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMT6016LSS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 18m @ VGS = 10V 9.2 A Fast Switching Speed 60V 7.5 A 28m @ VGS = 4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3
dmt6016lps-13.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMT6016LPS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package - Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25C High Conversion Efficiency 15m @ VGS = 10V 32 A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 24 A 24m @ VGS = 4.5V Low Input Capacitance Fast Switching Speed
dmt6016lfdf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMT6016LFDF60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C 0.6mm profile ideal for low profile applications 16m @ VGS = 10V 8.9A PCB footprint of 4mm2 60V 27m @ VGS = 4.5V 6.8A Low On-Resistance Totally Lead-Free & Ful
dmt6016lps.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMT6016LPS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package - Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25C High Conversion Efficiency 15m @ VGS = 10V 32 A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 24 A 24m @ VGS = 4.5V Low Input Capacitance Fast Switching Speed
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![DMT6016LSS](https://alltransistors.com/images/us.png)
![DMT6016LSS](https://alltransistors.com/images/es.png)
![DMT6016LSS](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C