Справочник MOSFET. FCP125N65S3

 

FCP125N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCP125N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FCP125N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP125N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  onsemi
fcp125n65s3.pdfpdf_icon

FCP125N65S3

FCP125N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 24 A, 125 mWDescription www.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 125 mW @ 10 V 24 Acharge performance. This advanc

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
fcp125n65s3.pdfpdf_icon

FCP125N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor FCP125N65S3FEATURESDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 125m(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch-Mode and Resonant-Mode Power SuppliesDC-DC ConvertersAC and DC Mot

 0.1. Size:385K  onsemi
fcp125n65s3r0.pdfpdf_icon

FCP125N65S3

FCP125N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive650 V, 24 A, 125 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailo

 4.1. Size:245K  inchange semiconductor
fcp125n65s.pdfpdf_icon

FCP125N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor FCP125N65SFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , STF13NM60N , FKI10300 , FMH08N80E , FQU10N20 , IPA180N10N3 , IPA60R120P7 , IPB048N15N5LF , IPD031N06L3 , IPD033N06N .

History: SSM2302GN | JCS12N65SEI

 

 
Back to Top

 


 
.