FMH08N80E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMH08N80E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMH08N80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FMH08N80E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH08N80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  inchange semiconductor
 fmh08n80e.pdf pdf_icon

FMH08N80E

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH08N80EFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.45(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS generally applied in high efficiency switch modepower supplies.

Другие MOSFET... DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 , FKI10300 , 2SK3568 , FQU10N20 , IPA180N10N3 , IPA60R120P7 , IPB048N15N5LF , IPD031N06L3 , IPD033N06N , IPD034N06N3 , IPD036N04L .

History: IPB45N06S4-09 | FQU10N20 | MTE150P20H8 | FDR836P

 

 
Back to Top

 


 
.