FMH08N80E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMH08N80E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FMH08N80E
FMH08N80E Datasheet (PDF)
fmh08n80e.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH08N80EFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.45(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS generally applied in high efficiency switch modepower supplies.
Другие MOSFET... DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 , FKI10300 , 5N65 , FQU10N20 , IPA180N10N3 , IPA60R120P7 , IPB048N15N5LF , IPD031N06L3 , IPD033N06N , IPD034N06N3 , IPD036N04L .
History: KHC2300
History: KHC2300



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106