Справочник MOSFET. IPD110N12N3

 

IPD110N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD110N12N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD110N12N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD110N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  infineon
 ipds110n12n3g ips110n12n3g ips110n12n3 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 120VOptiMOS 3 Power-TransistorIPD_S110N12N3 GData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & MultimarketIPD110N12N3 G IPS110N12N3 GOptiMOSTM3Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 120 V N-channel, normal levelRDS(on),max11m Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD110N12N3,IIPD110N12N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)11mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

Другие MOSFET... IPD050N10N5 , IPD053N08N3 , IPD068N10N3 , IPD068P03L3 , IPD079N06L3 , IPD082N10N3 , IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , MMIS60R580P , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IPD180N10N3 , IPD200N15N3 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N .

History: QM3008K | STD60NH03L-1 | VSD050P10MS | AP83T03GJ-HF | SSM6K204FE | NTMFS4943N | SE8090A

 

 
Back to Top

 


 
.