IPD110N12N3 - описание и поиск аналогов

 

IPD110N12N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD110N12N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPD110N12N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD110N12N3 даташит

 ..1. Size:587K  infineon
 ipds110n12n3g ips110n12n3g ips110n12n3 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOS Power-Transistor, 120V OptiMOS 3 Power-Transistor IPD_S110N12N3 G Data Sheet Rev. 2.4 Final Industrial & Multimarket IPD110N12N3 G IPS110N12N3 G OptiMOSTM3Power-Transistor Product Summary Features VDS 120 V N-channel, normal level RDS(on),max 11 m Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on)

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD110N12N3,IIPD110N12N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 11m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

Другие MOSFET... IPD050N10N5 , IPD053N08N3 , IPD068N10N3 , IPD068P03L3 , IPD079N06L3 , IPD082N10N3 , IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , 7N60 , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IPD180N10N3 , IPD200N15N3 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N .

History: BUK6208-40C | TPCA8015-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.