Справочник MOSFET. IPD350N06L

 

IPD350N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD350N06L
   Маркировка: 350N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD350N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD350N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd350n06l.pdf pdf_icon

IPD350N06L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD350N06L,IIPD350N06LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)35mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Ga

 0.1. Size:1008K  infineon
 ipd350n06lg.pdf pdf_icon

IPD350N06L

% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C

 9.1. Size:177K  infineon
 ipd35n10s3l-26 ipd35n10s3l-26 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD350N06L

IPD35N10S3L-26OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 26mWDS(on),maxI 35 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD35N10S3L-26 PG-TO252-3-11 3N10L26Ma

 9.2. Size:392K  infineon
 ipd35n12s3l-24.pdf pdf_icon

IPD350N06L

IPD35N12S3L-24OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 24 mW ID 35 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IPD180N10N3 , IPD200N15N3 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , 2N7002 , IPD400N06N , IPD530N15N3 , IPD600N25N3 , IPD60R170CFD7 , IPD60R180C7 , IPD60R180P7S , IPD60R280CFD7 , IPD60R280P7 .

History: IPD25CN10N | 2SJ360 | IRFS4229

 

 
Back to Top

 


 
.