Справочник MOSFET. IPD78CN10N

 

IPD78CN10N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD78CN10N
   Маркировка: 78CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 76 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для IPD78CN10N

 

 

IPD78CN10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  infineon
 ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf

IPD78CN10N IPD78CN10N

IPB80CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

 ..2. Size:847K  cn vbsemi
 ipd78cn10n.pdf

IPD78CN10N IPD78CN10N

IPD78CN10Nwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested0.055 at VGS = 10 V 250.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC0.070 at VGS = 2.5 V 18APPLICATIONS Primary side switchDTO-252GG D SSN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unl

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd78cn10n.pdf

IPD78CN10N IPD78CN10N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD78CN10N,IIPD78CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)78mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 0.1. Size:534K  infineon
 ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf

IPD78CN10N IPD78CN10N

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 0.2. Size:1028K  infineon
 ipb79cn10ng ipd78cn10ng ipi80cn10ng ipp80cn10ng.pdf

IPD78CN10N IPD78CN10N

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 13 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top