IPP200N25N3 - описание и поиск аналогов

 

IPP200N25N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP200N25N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для IPP200N25N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP200N25N3 даташит

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
ipp200n25n3.pdfpdf_icon

IPP200N25N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP200N25N3 IIPP200N25N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 7.1. Size:993K  infineon
ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdfpdf_icon

IPP200N25N3

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
ipp200n15n3.pdfpdf_icon

IPP200N25N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP200N15N3,IIPP200N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high frequency switching and sync. Rec. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

Другие MOSFET... IPP100N08N3 , IPP110N20N3 , IPP111N15N3 , IPP114N12N3 , IPP12CN10L , IPP147N12N3 , IPP16CN10N , IPP200N15N3 , SKD502T , IPP320N20N3 , IPP530N15N3 , IPP600N25N3 , IPP60R060C7 , IPP60R080P7 , IPP60R099P7 , IPP60R120C7 , IPP60R170CFD7 .

History: SUB65P04-15 | SUD09P10-195 | IRF730ALPBF | HD30N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.