IPP200N25N3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPP200N25N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP200N25N3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPP200N25N3 даташит
ipp200n25n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP200N25N3 IIPP200N25N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
ipb200n25n3-g ipp200n25n3-g ipi200n25n3-g ipb200n25n3g ipp200n25n3g ipi200n25n3g.pdf
ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf
IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t
ipp200n15n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP200N15N3,IIPP200N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high frequency switching and sync. Rec. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL
Другие MOSFET... IPP100N08N3 , IPP110N20N3 , IPP111N15N3 , IPP114N12N3 , IPP12CN10L , IPP147N12N3 , IPP16CN10N , IPP200N15N3 , SKD502T , IPP320N20N3 , IPP530N15N3 , IPP600N25N3 , IPP60R060C7 , IPP60R080P7 , IPP60R099P7 , IPP60R120C7 , IPP60R170CFD7 .
History: SUB65P04-15 | SUD09P10-195 | IRF730ALPBF | HD30N06
History: SUB65P04-15 | SUD09P10-195 | IRF730ALPBF | HD30N06
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor


