IRF250P224 - описание и поиск аналогов

 

IRF250P224. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF250P224

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для IRF250P224

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF250P224 даташит

 ..1. Size:1062K  infineon
irf250p224.pdfpdf_icon

IRF250P224

IRF250P224 MOSFET StrongIRFET V 250V D DSS R DS(on) typ. 9.0m G Applications max 12m UPS and Inverter applications S I 128A D Half-bridge and full-bridge topologies Resonant mode power supplies DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches Brushed and BLDC Motor drive applications Battery powered circuits

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
irf250p224.pdfpdf_icon

IRF250P224

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF250P224 IIRF250P224 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 12m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION OR-ring and redundant power switches ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

 5.1. Size:1059K  infineon
irf250p225.pdfpdf_icon

IRF250P224

IRF250P225 IR MOSFET - StrongIRFET V 250V D DSS R DS(on) typ. 18m G max 22m Applications S I 69A D UPS and Inverter applications Half-bridge and full-bridge topologies D Resonant mode power supplies DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches S D Brushed and BLDC Motor drive applications G TO-247AC

 5.2. Size:242K  inchange semiconductor
irf250p225.pdfpdf_icon

IRF250P224

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF250P225 IIRF250P225 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 22m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION OR-ring and redundant power switches ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

Другие MOSFET... IPP60R120C7 , IPP60R170CFD7 , IPP60R180P7 , IPP60R280CFD7 , IPP60R280P7 , IPP60R600P7 , IPW60R120P7 , IRF135B203 , TK10A60D , IRF3256 , IRFB3407Z , IRFB4137 , IRFB4228 , IRFB4510 , IRFI4510G , IRLML2502TRPBF , IRFL3713 .

History: JCS10N60BT | IRF7342QPBF | HCD80R1K2 | SUD19P06-60L | BF999 | KF4N60F | SWB075R06ET

 

 

 

 

↑ Back to Top
.