ISTP16NF06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ISTP16NF06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ISTP16NF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISTP16NF06 даташит

 ..1. Size:229K  inchange semiconductor
 stp16nf06 istp16nf06.pdf pdf_icon

ISTP16NF06

N-Channel MOSFET Transistor STP16NF06 ISTP16NF06 DESCRIPTION Drain Current I = 16A@ T =25 D C Static Drain-Source On-Resistance R = 100m (Max) DS(on) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high packing density for low on-resistance rugged avalanche characteristics and less critical

 9.1. Size:260K  inchange semiconductor
 istp140n6f7.pdf pdf_icon

ISTP16NF06

isc N-Channel MOSFET Transistor ISTP140N6F7 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие IGBT... IRFR7546, IRFR7740, IRFR7746, IRFR812, IRFR825TR, IRFR8314, IRFS3307ZTRL, IRFS7534TRLPBF, 2N60, MDF18N50, MDP1723, MDP1922, P50NF06, SCT3060AL, SPA11N60C3E8185, SPD30N03S2L, SPD50N03S2