SPD30N03S2L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SPD30N03S2L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SPD30N03S2L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD30N03S2L даташит

 ..1. Size:243K  inchange semiconductor
 spd30n03s2l.pdf pdf_icon

SPD30N03S2L

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD30N03S2L,ISPD30N03S2L FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 10m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Superior thermal resistance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 0.1. Size:631K  infineon
 spd30n03s2l-10 .pdf pdf_icon

SPD30N03S2L

SPD30N03S2L-10 G OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 10 m Logic Level ID 30 A PG-TO252-3 Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS complian

 0.2. Size:682K  infineon
 spd30n03s2l-20.pdf pdf_icon

SPD30N03S2L

G SPD30N03S2L-20 OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 20 m Logic Level ID 30 A PG- TO252 -3 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Marking Type Package

 0.3. Size:586K  infineon
 spd30n03s2l-10.pdf pdf_icon

SPD30N03S2L

SPD30N03S2L-10 G OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 10 m Logic Level ID 30 A PG-TO252-3 Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS7534TRLPBF, ISTP16NF06, MDF18N50, MDP1723, MDP1922, P50NF06, SCT3060AL, SPA11N60C3E8185, 8N60, SPD50N03S2, SUD70090E, 2N3380, 2N3382, 2N3384, 2N3386, 2N3970, 2N3971