Справочник MOSFET. SUD70090E

 

SUD70090E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD70090E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 845 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUD70090E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD70090E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  vishay
 sud70090e.pdf pdf_icon

SUD70090E

SUD70090Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0089 at VGS = 10 V 50100 33 nC Qgd / Qgs ratio

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 sud70090e.pdf pdf_icon

SUD70090E

isc N-Channel MOSFET Transistor SUD70090EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8.9mEnhancement mode100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDC/DC converterPower toolsMotor drive switchABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

Другие MOSFET... MDF18N50 , MDP1723 , MDP1922 , P50NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , EMB04N03H , 2N3380 , 2N3382 , 2N3384 , 2N3386 , 2N3970 , 2N3971 , 2N3972 , 2N4342 .

History: AUIRLR3705ZTR | IXTC230N085T | ME2310 | PM3400 | PH1730AL

 

 
Back to Top

 


 
.