SFR9210 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFR9210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SFR9210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9210 даташит

 ..1. Size:256K  fairchild semi
 sfr9210 sfu9210.pdf pdf_icon

SFR9210

SFR/U9210 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 2.084 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximu

 ..2. Size:494K  samsung
 sfr9210.pdf pdf_icon

SFR9210

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 2.084 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

 8.1. Size:309K  fairchild semi
 sfu9214 sfr9214.pdf pdf_icon

SFR9210

SFR/U9214 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 3.15 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Abs

 8.2. Size:503K  samsung
 sfr9214.pdf pdf_icon

SFR9210

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 3.15 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFP9Z34, SFR2955, SFR9014, SFR9024, SFR9034, SFR9110, SFR9120, SFR9130, AON7403, SFR9214, SFR9220, SFR9224, SFS2955, SFS9510, SFS9520, SFS9530, SFS9540