Справочник MOSFET. 2N3386

 

2N3386 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N3386
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
   Тип корпуса: TO-72
 

 Аналог (замена) для 2N3386

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N3386 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  njs
2n3382 2n3384 2n3386.pdfpdf_icon

2N3386

 9.1. Size:40K  njs
2n3380.pdfpdf_icon

2N3386

Другие MOSFET... SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E , 2N3380 , 2N3382 , 2N3384 , 2N7002 , 2N3970 , 2N3971 , 2N3972 , 2N4342 , 2N4343 , 2N4360 , 2N4393C1A , 2N4393C1B .

History: PNM3FD201E0 | SI2356DS | MS15N60

 

 
Back to Top

 


 
.