2N3386 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2N3386
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
   Тип корпуса: TO-72
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам