2N4342 - описание и поиск аналогов

 

2N4342. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4342

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm

Тип корпуса: TO-18

Аналог (замена) для 2N4342

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N4342 даташит

 ..1. Size:72K  njs
2n4342 2n4343 2n4360.pdfpdf_icon

2N4342

 9.1. Size:304K  general electric
2n433 2n434.pdfpdf_icon

2N4342

 9.2. Size:75K  vishay
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdfpdf_icon

2N4342

2N4338/4339/4340/4341 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA) 2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.6 2N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.5 2N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.6 2N4341 -2 to -6 -50 2 9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low Cutoff Voltage 2N4338

 9.3. Size:197K  comset
2n3442-2n4347.pdfpdf_icon

2N4342

2N3442 2N4347 HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS NPN silicon transistors designed for applications in industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunts regulators and power switches. Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc 2N4347 Collector-Emitter Susta

Другие MOSFET... SUD70090E , 2N3380 , 2N3382 , 2N3384 , 2N3386 , 2N3970 , 2N3971 , 2N3972 , IRFP064N , 2N4343 , 2N4360 , 2N4393C1A , 2N4393C1B , 2N4393C1C , 2N4393C1D , 2N4393DCSM , 2N4416A .

History: RTQ020N05 | AP4438GM-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.