2N4393C1C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N4393C1C
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: LCC1
Аналог (замена) для 2N4393C1C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N4393C1C даташит
2n4393c1a 2n4393c1b 2n4393c1c 2n4393c1d.pdf
SILICON SMALL SIGNAL N-CHANNEL JFET 2N4393C1 Hermetic Surface Mounted Package. Designed For High Reliability and Space Applications. Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 40V VGS Gate Source Voltage -40V VGD Gate Drain Voltage -40V IG Gate Current 50mA PD TA = 25 C
2n4391 pn4391 sst4391 2n4392 pn4392 sst4392 2n4393 pn4393 sst4393.pdf
2N/PN/SST4391 Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs 2N4391 PN4391 SST4391 2N4392 PN4392 SST4392 2N4393 PN4393 SST4393 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) 2N/PN/SST4391 4 to 10 30 5 4 2N/PN/SST4392 2 to 5 60 5 4 2N/PN/SST4393 0.5 to 3 100 5 4 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 4391
2n4391 2n4392 2n4393.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com
2n4393dcsm.pdf
2N4393DCSM SEME LAB SMALL SIGNAL DUAL N CHANNEL J FET IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) FEATURES 2 3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT 1 4 A PACKAGE 0.23 6 5 rad. (0.009) CECC SC
Другие IGBT... 2N3970, 2N3971, 2N3972, 2N4342, 2N4343, 2N4360, 2N4393C1A, 2N4393C1B, IRF740, 2N4393C1D, 2N4393DCSM, 2N4416A, 2N4416AC1A, 2N4416AC1B, 2N4416AC1C, 2N4416AC1D, 2N4416ACSM
History: 12N60G-TF3-T | IPD200N15N3G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda





