2N4393DCSM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N4393DCSM
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: LCC2
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2N4393DCSM Datasheet (PDF)
2n4393dcsm.pdf

2N4393DCSMSEMELABSMALL SIGNAL DUALNCHANNEL JFET IN AHERMETICALLY SEALEDCERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEFOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONSMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)FEATURES2 3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT1 4A PACKAGE 0.236 5rad.(0.009) CECC SC
2n4391 pn4391 sst4391 2n4392 pn4392 sst4392 2n4393 pn4393 sst4393.pdf

2N/PN/SST4391 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETs2N4391 PN4391 SST43912N4392 PN4392 SST43922N4393 PN4393 SST4393PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)2N/PN/SST4391 4 to 10 30 5 42N/PN/SST4392 2 to 5 60 5 42N/PN/SST4393 0.5 to 3 100 5 4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 4391
2n4391 2n4392 2n4393.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
2n4393c1a 2n4393c1b 2n4393c1c 2n4393c1d.pdf

SILICON SMALL SIGNAL N-CHANNEL JFET 2N4393C1 Hermetic Surface Mounted Package. Designed For High Reliability and Space Applications. Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 40V VGS Gate Source Voltage -40V VGD Gate Drain Voltage -40V IG Gate Current 50mA PD TA = 25C
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 12N65KG-TF1-T | NCEP026N10F | QM3007S | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N
History: 12N65KG-TF1-T | NCEP026N10F | QM3007S | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor