2N4448 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N4448
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: TO-46
Аналог (замена) для 2N4448
2N4448 Datasheet (PDF)
2n4449 2n2369a.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO
2n4449ub.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO
Другие MOSFET... 2N4416AC1C , 2N4416AC1D , 2N4416ACSM , 2N4416CSM , 2N4416DCSM , 2N4445 , 2N4446 , 2N4447 , AO3400 , 2N5114E3 , 2N5114UB , 2N5114UBE3 , 2N5115E3 , 2N5115UB , 2N5115UBE3 , 2N5116E3 , 2N5116UB .
History: IRFS3806PBF | UTD420
History: IRFS3806PBF | UTD420
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090