Справочник MOSFET. SFS9510

 

SFS9510 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFS9510
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SFS9510

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS9510 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  samsung
sfs9510.pdfpdf_icon

SFS9510

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.5 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.912 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

 9.1. Size:503K  samsung
sfs9530.pdfpdf_icon

SFS9510

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.225 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati

 9.2. Size:493K  samsung
sfs9520.pdfpdf_icon

SFS9510

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -4.6 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

 9.3. Size:501K  samsung
sfs9540.pdfpdf_icon

SFS9510

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -10.7 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.161 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

Другие MOSFET... SFR9110 , SFR9120 , SFR9130 , SFR9210 , SFR9214 , SFR9220 , SFR9224 , SFS2955 , HY1906P , SFS9520 , SFS9530 , SFS9540 , SFS9610 , SFS9614 , SFS9620 , SFS9624 , SFS9630 .

History: SSI3N90A | JSM7410 | SVF10N65T | IRHQ7110 | IRHN7250 | HY5012A | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.