SFS9510 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFS9510
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 16 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SFS9510 Datasheet (PDF)
sfs9510.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.5 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.912 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra
sfs9530.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.225 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati
sfs9520.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -4.6 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra
sfs9540.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -10.7 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.161 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra
Другие MOSFET... SFR9110 , SFR9120 , SFR9130 , SFR9210 , SFR9214 , SFR9220 , SFR9224 , SFS2955 , RU7088R , SFS9520 , SFS9530 , SFS9540 , SFS9610 , SFS9614 , SFS9620 , SFS9624 , SFS9630 .
![SFS9510](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SFS9510](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SFS9510](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C