Справочник MOSFET. 2N7002C1A

 

2N7002C1A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7002C1A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для 2N7002C1A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7002C1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  semelab
 2n7002c1a 2n7002c1b.pdf pdf_icon

2N7002C1A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002C1 VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 6

 6.1. Size:329K  semelab
 2n7002c1c 2n7002c1d.pdf pdf_icon

2N7002C1A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002C1A / 2N7002C1B, 2N7002C1C / 2N7002C1D VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available Variants C1C & C1D with solder dip finished pads (63Sn

 7.1. Size:76K  philips
 2n7002ck.pdf pdf_icon

2N7002C1A

2N7002CK60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFETRev. 01 11 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in asmall SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

 7.2. Size:585K  nxp
 2n7002ck.pdf pdf_icon

2N7002C1A

2N7002CK60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFETRev. 01 11 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in asmall SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N7000G , 2N7000RLRA , 2N7000RLRAG , 2N7000RLRMG , 2N7000RLRPG , 2N7002-7 , 2N7002-7-F , 2N7002BKMB , AON7410 , 2N7002C1B , 2N7002C1C , 2N7002C1D , 2N7002CSM , 2N7002DCSM , 2N7002DSGP , 2N7002EGP , 2N7002ESEGP .

History: VBA5325 | LBSS139DW1T3G | NCE50NF520

 

 
Back to Top

 


 
.