Справочник MOSFET. SFS9520

 

SFS9520 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFS9520
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS9520 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  samsung
sfs9520.pdfpdf_icon

SFS9520

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -4.6 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

 9.1. Size:502K  samsung
sfs9510.pdfpdf_icon

SFS9520

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.5 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.912 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

 9.2. Size:503K  samsung
sfs9530.pdfpdf_icon

SFS9520

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.225 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati

 9.3. Size:501K  samsung
sfs9540.pdfpdf_icon

SFS9520

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -10.7 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.161 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

Другие MOSFET... SFR9120 , SFR9130 , SFR9210 , SFR9214 , SFR9220 , SFR9224 , SFS2955 , SFS9510 , 5N50 , SFS9530 , SFS9540 , SFS9610 , SFS9614 , SFS9620 , SFS9624 , SFS9630 , SFS9634 .

History: HAF1002 | BSS214NW | TK3A60DA | IRFIBC20G | APL602J | HGD750N15M

 

 
Back to Top

 


 
.