2N6759. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6759

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для 2N6759

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6759 даташит

 ..1. Size:138K  fairchild semi
 2n6759 2n6760.pdf pdf_icon

2N6759

 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6756 irf130.pdf pdf_icon

2N6759

PD - 90333F IRF130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6756 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6756 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF130 100V 0.18 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique process

 9.2. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

2N6759

PD - 90334F IRF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6758 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF230 200V 0.40 9.0A TO-3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique

 9.3. Size:141K  fairchild semi
 2n6757 2n6758.pdf pdf_icon

2N6759

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6756JTXV, 2N6757, 2N6758, 2N6758JAN, 2N6758JANTX, 2N6758JANTXV, 2N6758JTX, 2N6758JTXV, IRF1010E, 2N6760, 2N6760JAN, 2N6760JANTX, 2N6760JANTXV, 2N6760JTX, 2N6760JTXV, 2N6761, 2N6762