NDP05N50Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NDP05N50Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для NDP05N50Z
NDP05N50Z Datasheet (PDF)
ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf
NDF05N50Z, NDP05N50Z,NDD05N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 1.25 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant500 V1.25 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol NDF NDP NDD UnitN-ChannelD (2)Drain-to-Source
Другие MOSFET... 2N7380 , 2N7381 , 2N7394 , 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , MDD1654 , IRFZ44 , NDS356P , P6503NJ , RU6888R , SVS5N70D , SVS5N70MJ , SVS5N70MN , SVS5N70F , SVS5N70MU .
History: BSC010N04LST | 20N06L-TO252
History: BSC010N04LST | 20N06L-TO252
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo


