Справочник MOSFET. RU6888R

 

RU6888R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6888R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RU6888R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6888R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
ru6888r.pdfpdf_icon

RU6888R

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 0.1. Size:450K  ruichips
ru6888r3.pdfpdf_icon

RU6888R

RU6888R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,Insulation Slug RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green

 8.1. Size:303K  ruichips
ru6888m.pdfpdf_icon

RU6888R

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 8.2. Size:461K  ruichips
ru6888.pdfpdf_icon

RU6888R

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

Другие MOSFET... 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , MDD1654 , NDP05N50Z , NDS356P , P6503NJ , IRFP260N , SVS5N70D , SVS5N70MJ , SVS5N70MN , SVS5N70F , SVS5N70MU , WFP85N06 , 2N5653 , 2N5654 .

History: IRF3205 | JMTP250P03A | BLF6G10L-40BRN

 

 
Back to Top

 


 
.