Справочник MOSFET. WFP85N06

 

WFP85N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP85N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP85N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  wisdom semi
wfp85n06.pdfpdf_icon

WFP85N06

Wisdom SemiconductorWFP85N06N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.013 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 70nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175C)3. Source General DescriptionTO-220This Power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFR80N50Q3 | TF3415 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | P0620ED

 

 
Back to Top

 


 
.