Справочник MOSFET. 1HN04CH

 

1HN04CH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 1HN04CH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для 1HN04CH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1HN04CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  onsemi
 1hn04ch.pdf pdf_icon

1HN04CH

Ordering number : ENA0925C 1HN04CH Power MOSFET http://onsemi.com 100V, 8, 270mA, Single N-Channel Features 4V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 100 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 270 mA Drain Current (Pulse) IDP

Другие MOSFET... 12N60AF , 13N110A , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , NCEP15T14 , 1HP04CH , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A , 24N50A .

 

 
Back to Top

 


 
.