1HN04CH - описание и поиск аналогов

 

1HN04CH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 1HN04CH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для 1HN04CH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1HN04CH даташит

 ..1. Size:407K  onsemi
 1hn04ch.pdf pdf_icon

1HN04CH

Ordering number ENA0925C 1HN04CH Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 8 , 270mA, Single N-Channel Features 4V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain to Source Voltage VDSS 100 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 270 mA Drain Current (Pulse) IDP

Другие MOSFET... 12N60AF , 13N110A , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , IRF1405 , 1HP04CH , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A , 24N50A .

History: STT3520C | STF16N65M2 | WSF50P04

 

 

 

 

↑ Back to Top
.