Справочник MOSFET. 60N05-16

 

60N05-16 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 60N05-16
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для 60N05-16

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

60N05-16 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  inchange semiconductor
 60n05-16.pdf pdf_icon

60N05-16

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 60N05-16DESCRIPTIONDrain Current I = 60A@ T =25D CStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose power amplifierHigh current,high speed switchingSolenoid and

 0.1. Size:354K  st
 stp60n05-16 stp60n06-16.pdf pdf_icon

60N05-16

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 7.1. Size:81K  st
 stp60n05-14.pdf pdf_icon

60N05-16

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 7.2. Size:54K  st
 stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

60N05-16

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK1939-01 , 2SK1982-01M , 2SK2020-01MR , 2SK2645 , 2SK2850 , 40N10 , 50N15 , 60N05 , AO3400 , 60N06-18 , 60N10 , 6N70A , 75N06 , 75N10 , 75NF75 , BUK436-100A , BUK436-100B .

History: SPP3414S23RG | J105

 

 
Back to Top

 


 
.