60N05-16 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

60N05-16 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: 60N05-16
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для 60N05-16

60N05-16 Datasheet (PDF)

..1. Size:230K inchange semiconductor
60n05-16.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 60N05-16DESCRIPTIONDrain Current I = 60A@ T =25D CStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose power amplifierHigh current,high speed switchingSolenoid and

0.1. Size:354K st
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf