60N05-16 - описание и поиск аналогов

 

60N05-16. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 60N05-16

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для 60N05-16

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

60N05-16 даташит

 ..1. Size:230K  inchange semiconductor
 60n05-16.pdf pdf_icon

60N05-16

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 60N05-16 DESCRIPTION Drain Current I = 60A@ T =25 D C Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS General purpose power amplifier High current,high speed switching Solenoid and

 0.1. Size:354K  st
 stp60n05-16 stp60n06-16.pdf pdf_icon

60N05-16

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 7.1. Size:81K  st
 stp60n05-14.pdf pdf_icon

60N05-16

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

 7.2. Size:54K  st
 stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

60N05-16

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK1939-01 , 2SK1982-01M , 2SK2020-01MR , 2SK2645 , 2SK2850 , 40N10 , 50N15 , 60N05 , AO3401 , 60N06-18 , 60N10 , 6N70A , 75N06 , 75N10 , 75NF75 , BUK436-100A , BUK436-100B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.