SFU9120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFU9120
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO251
SFU9120 Datasheet (PDF)
sfr9120 sfu9120.pdf
SFR/U9120Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -4.9 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Lower RDS(ON) : 0.444 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
sfu9130 sfr9130.pdf
SFR/U9130Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) : 0.225 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum
sfu9110 sfr9110.pdf
SFR/U9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -2.8 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
Другие MOSFET... SFS9Z14 , SFS9Z24 , SFS9Z34 , SFU2955 , SFU9014 , SFU9024 , SFU9034 , SFU9110 , P55NF06 , SFU9130 , SFU9210 , SFU9214 , SFU9220 , SFU9224 , SFU9310 , SFW2955 , SFW9510 .
