SFU9210 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SFU9210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SFU9210
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFU9210 даташит
sfr9210 sfu9210.pdf
SFR/U9210 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 2.084 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximu
sfu9214 sfr9214.pdf
SFR/U9214 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 3.15 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Abs
sfr9220 sfu9220.pdf
SFR/U9220 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 1.111 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum
sfu9224 sfr9224.pdf
SFR/U9224 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 1.65 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum
Другие IGBT... SFS9Z34, SFU2955, SFU9014, SFU9024, SFU9034, SFU9110, SFU9120, SFU9130, AO3400, SFU9214, SFU9220, SFU9224, SFU9310, SFW2955, SFW9510, SFW9520, SFW9530
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet




