IPP015N04N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP015N04N
Маркировка: 015N04N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 188 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 4000 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0015 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IPP015N04N
IPP015N04N Datasheet (PDF)
ipp015n04n ipb015n04n.pdf
pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "
ipp015n04n.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP015N04NIIPP015N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX
ipp015n04n6 ipb015n04n6.pdf
pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "
ipp015n04ng ipb015n04ng.pdf
pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
