IPP35CN10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPP35CN10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IPP35CN10N
IPP35CN10N Datasheet (PDF)
ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdf

IPB34CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 27 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f
ipp35cn10n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP35CN10NIIPP35CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.035Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MA
ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf

IPB35CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 34mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 27 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi
Другие MOSFET... IPP065N03L , IPP072N10N3 , IPP084N06L3 , IPP086N10N3 , IPP126N10N3 , IPP12CN10N , IPP180N10N3 , IPP26CN10N , IRF1405 , IPP80CN10N , IPW60R060C7 , IPW60R070CFD7 , IPW60R080P7 , IPW60R099P7 , IPW60R120C7 , IPW60R170CFD7 , IRF200P223 .
History: FS10KM-2 | WMJ60N60EM | UD9926 | IPI041N12N3G | PX5S6EA | SSS45N20B | HCD70R910
History: FS10KM-2 | WMJ60N60EM | UD9926 | IPI041N12N3G | PX5S6EA | SSS45N20B | HCD70R910



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor