IRF200P223. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF200P223
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRF200P223
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF200P223 даташит
irf200p223.pdf
IRF200P223 IR MOSFET - StrongIRFET V 200V D DSS R DS(on) typ. 9.5m G Applications max 11.5m S UPS and Inverter applications I 100A D Half-bridge and full-bridge topologies Resonant mode power supplies D DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches Brushed and BLDC Motor drive applications S Battery power
irf200p223.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF200P223 IIRF200P223 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 11.5m Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=270 A) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION OR-ring and redundant power switches ABSOLUTE MAXIMUM
irf200b211.pdf
StrongIRFET IRF200B211 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 200V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 135m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 170m Resonant mode power supplies S DC/DC and AC/
irf200s234.pdf
IRF200S234 IR MOSFET - StrongIRFET V 200V D DSS R DS(on) typ. 14m Applications G max 16.9m Brushed Motor drive applications S I 90A D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies D Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies OR-ing and redundant power sw
Другие MOSFET... IPP35CN10N , IPP80CN10N , IPW60R060C7 , IPW60R070CFD7 , IPW60R080P7 , IPW60R099P7 , IPW60R120C7 , IPW60R170CFD7 , MMIS60R580P , IRF250P225 , IRF60B217 , IRF630NSTRRPBF , IRFP4127 , IRFP4868 , IRFP7537 , IRFP7718 , IRL40B212 .
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout



