IRL40B212 - описание и поиск аналогов

 

IRL40B212. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL40B212

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 154 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL40B212

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL40B212 даташит

 ..1. Size:618K  international rectifier
irl40b212 irl40s212.pdfpdf_icon

IRL40B212

StrongIRFET IRL40B212 IRL40S212 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications D Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.5m Half-bridge and full-bridge topologies max 1.9m Synchronous rectifier applications G ID (Silicon Limited) 254A Resonant mode powe

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
irl40b212.pdfpdf_icon

IRL40B212

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL40B212 IIRL40B212 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.9m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIM

 6.1. Size:542K  international rectifier
irl40b215.pdfpdf_icon

IRL40B212

StrongIRFET IRL40B215 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.2m Battery powered circuits max 2.7m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 164A Resonant mode power suppli

 6.2. Size:246K  inchange semiconductor
irl40b215.pdfpdf_icon

IRL40B212

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL40B215 IIRL40B215 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.7m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... IRF200P223 , IRF250P225 , IRF60B217 , IRF630NSTRRPBF , IRFP4127 , IRFP4868 , IRFP7537 , IRFP7718 , IRF3205 , IRL40B215 , IRL60B216 , IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 .

History: APM9946K | IRLL2705PBF | IRLU2905 | LSD60R099HT | VN0104N7 | IRF352 | FTA07N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.