TK17A65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK17A65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK17A65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17A65W даташит

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk17a65w.pdf pdf_icon

TK17A65W

TK17A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17A65W TK17A65W TK17A65W TK17A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk17a65w.pdf pdf_icon

TK17A65W

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK17A65W ITK17A65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.2 Enhancement mode Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 0.1. Size:236K  toshiba
 tk17a65w5.pdf pdf_icon

TK17A65W

TK17A65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17A65W5 TK17A65W5 TK17A65W5 TK17A65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.19 (typ.) by used to Super Junction Str

 0.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk17a65w5.pdf pdf_icon

TK17A65W

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK17A65W5 ITK17A65W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.19 (typ.) Enhancement mode Vth = 3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL8114, TK10A50W, TK10A60D5, TK10A80W, TK10E80W, TK12A50D5, TK12A50W, TK12A80W, IRLZ44N, TK17A65W5, TK17E80W, TK19A50W, TK22A65X5, TK290A60Y, TK290A65Y, TK380A60Y, TK380A65Y