Справочник MOSFET. TK17A65W

 

TK17A65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK17A65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17A65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk17a65w.pdf pdf_icon

TK17A65W

TK17A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17A65WTK17A65WTK17A65WTK17A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk17a65w.pdf pdf_icon

TK17A65W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK17A65WITK17A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.2Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:236K  toshiba
 tk17a65w5.pdf pdf_icon

TK17A65W

TK17A65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17A65W5TK17A65W5TK17A65W5TK17A65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.19 (typ.) by used to Super Junction Str

 0.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk17a65w5.pdf pdf_icon

TK17A65W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK17A65W5ITK17A65W5FEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.19 (typ.)Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 , TK12A50W , TK12A80W , IRFP260N , TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 , TK290A60Y , TK290A65Y , TK380A60Y , TK380A65Y .

History: BS170D27Z | IRF3708LPBF | NCEP12N12AK | NCE60NF730R

 

 
Back to Top

 


 
.