Справочник MOSFET. TK4A80E

 

TK4A80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK4A80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TK4A80E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4A80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  toshiba
 tk4a80e.pdf pdf_icon

TK4A80E

TK4A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK4A80ETK4A80ETK4A80ETK4A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 2.8 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode : Vth = 2.

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk4a80e.pdf pdf_icon

TK4A80E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK4A80EITK4A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3.5.Enhancement mode:Vth = 2.5 to4.0V (VDS = 10 V, ID=0.4mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK290A60Y , TK290A65Y , TK380A60Y , TK380A65Y , TK3A90E , TK3R1A04PL , TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , STP75NF75 , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , TK7E80W .

 

 
Back to Top

 


 
.