Справочник MOSFET. TK4A80E

 

TK4A80E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK4A80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 55 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TK4A80E

 

 

TK4A80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  toshiba
 tk4a80e.pdf

TK4A80E TK4A80E

TK4A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK4A80ETK4A80ETK4A80ETK4A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 2.8 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode : Vth = 2.

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk4a80e.pdf

TK4A80E TK4A80E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK4A80EITK4A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3.5.Enhancement mode:Vth = 2.5 to4.0V (VDS = 10 V, ID=0.4mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top