TK4A80E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK4A80E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для TK4A80E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK4A80E даташит
tk4a80e.pdf
TK4A80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK4A80E TK4A80E TK4A80E TK4A80E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.8 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.
Другие MOSFET... TK290A60Y , TK290A65Y , TK380A60Y , TK380A65Y , TK3A90E , TK3R1A04PL , TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , 7N65 , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , TK7E80W .
History: NTJD4152P | GWM180-004X2-SMD
History: NTJD4152P | GWM180-004X2-SMD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor