Справочник MOSFET. TK4A80E

 

TK4A80E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK4A80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TK4A80E

 

 

TK4A80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  toshiba
 tk4a80e.pdf

TK4A80E TK4A80E

TK4A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK4A80ETK4A80ETK4A80ETK4A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 2.8 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode : Vth = 2.

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk4a80e.pdf

TK4A80E TK4A80E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK4A80EITK4A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3.5.Enhancement mode:Vth = 2.5 to4.0V (VDS = 10 V, ID=0.4mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top