TK5R3A06PL - описание и поиск аналогов

 

TK5R3A06PL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK5R3A06PL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для TK5R3A06PL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK5R3A06PL даташит

 ..1. Size:581K  toshiba
 tk5r3a06pl.pdf pdf_icon

TK5R3A06PL

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk5r3a06pl.pdf pdf_icon

TK5R3A06PL

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK5R3A06PL ITK5R3A06PL FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.1m (typ.) (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOL

Другие MOSFET... TK3R3E03GL , TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , 2N7002 , TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.