Справочник MOSFET. TK8R2E06PL

 

TK8R2E06PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK8R2E06PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TK8R2E06PL

 

 

TK8R2E06PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  toshiba
 tk8r2e06pl.pdf

TK8R2E06PL TK8R2E06PL

TK8R2E06PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK8R2E06PLTK8R2E06PLTK8R2E06PLTK8R2E06PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 9.7 nC (typ.)(3) Small ou

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk8r2e06pl.pdf

TK8R2E06PL TK8R2E06PL

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK8R2E06PLITK8R2E06PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 8.2m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

 9.1. Size:601K  toshiba
 tk8r2a06pl.pdf

TK8R2E06PL TK8R2E06PL

TK8R2A06PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK8R2A06PLTK8R2A06PLTK8R2A06PLTK8R2A06PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 10 nC (typ.)(3) Small out

 9.2. Size:258K  inchange semiconductor
 tk8r2a06pl.pdf

TK8R2E06PL TK8R2E06PL

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK8R2A06PLITK8R2A06PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 8.2m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top