HY3810PM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY3810PM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 346 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-3PM
Аналог (замена) для HY3810PM
HY3810PM Datasheet (PDF)
hy3810p hy3810m hy3810b hy3810ps hy3810pm.pdf
HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application
hy3810.pdf
HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application
Другие MOSFET... TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , SPP20N60C3 , HY3906P , HY3906B , HYG067N07NQ1P , HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 .
History: IRLSL3034PBF | NVD5490NL
History: IRLSL3034PBF | NVD5490NL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet