TPC8228H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPC8228H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPC8228H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPC8228H даташит
tpc8228-h.pdf
TPC8228-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8228-H TPC8228-H TPC8228-H TPC8228-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters CCFL Inverters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate charge QSW = 2.6 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance RDS(O
tpc8224-h.pdf
TPC8224-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8224-H TPC8224-H TPC8224-H TPC8224-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate change QSW = 1.9 nC (typ.) (4) Lo
tpc8227-h.pdf
TPC8227-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8227-H TPC8227-H TPC8227-H TPC8227-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters CCFL Inverters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate charge QSW = 2.4 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance RDS(O
tpc8223-h.pdf
TPC8223-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8223-H TPC8223-H TPC8223-H TPC8223-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate change QSW = 3.6 nC (typ.) (4) Lo
Другие MOSFET... CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , SI2302 , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 .
History: NTD5807NT | STD55N4F5 | SI9948AEY-T1-E3 | STG8820 | SM3408NSQG | RD3P200SNFRA | 2SK3402-Z
History: NTD5807NT | STD55N4F5 | SI9948AEY-T1-E3 | STG8820 | SM3408NSQG | RD3P200SNFRA | 2SK3402-Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor







