BLV1N60 - описание и поиск аналогов

 

BLV1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLV1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV1N60 даташит

 ..1. Size:480K  belling
 blv1n60.pdf pdf_icon

BLV1N60

BLV1N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 8 Simple Drive Requirements ID 1A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless o

 0.1. Size:476K  belling
 blv1n60a.pdf pdf_icon

BLV1N60

BLV1N60A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 15 Simple Drive Requirements ID 0.5A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unle

Другие MOSFET... ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , IRF520 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 .

History: KNU8103A | AO4862E | IRF7379Q | JCS12N65FT | IRF7331 | SI1023X | AO4423-L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.