BLV2N60 - описание и поиск аналогов

 

BLV2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для BLV2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV2N60 даташит

 ..1. Size:456K  belling
 blv2n60.pdf pdf_icon

BLV2N60

BLV2N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 4.4 Simple Drive Requirements ID 2A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , STF13NM60N , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.