Справочник MOSFET. BLV2N60

 

BLV2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLV2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для BLV2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  belling
 blv2n60.pdf pdf_icon

BLV2N60

BLV2N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 4.4 Simple Drive Requirements ID 2ADescription This advanced high voltage MOSFET is produced using Bellings proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , IRF2807 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 .

History: IRFBC30ASPBF | IRF6723M2D | IRF250P224 | VS3P07C | IRLM2502TR | HM4402B | SPB07N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.