BLV4N60 - описание и поиск аналогов

 

BLV4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV4N60 даташит

 ..1. Size:463K  belling
 blv4n60.pdf pdf_icon

BLV4N60

BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 2.2 Simple Drive Requirements ID 4A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , IRFZ24N , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 , BLVP304 .

History: NTD4904N | IRF3205LPBF | 2SK3857CT | LXP152ALT1G | 30P06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.